Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
IPP65R190CFDAAKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPP65R190CFDAAKSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 17.5A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventar:
RFQ Online
12806337
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPP65R190CFDAAKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
CoolMOS™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
17.5A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 700µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1850 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
151W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IPP65R
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
IPP65R190CFDAAKSA1-DG
Fișe tehnice
IPP65R190CFDAAKSA1
Informații suplimentare
Alte nume
SP000928266
Pachet standard
500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IXFP22N65X2
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFP22N65X2-DG
PREȚ UNIC
2.43
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
SIHP22N60EL-GE3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
SIHP22N60EL-GE3-DG
PREȚ UNIC
1.92
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
TK20E60W,S1VX
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
35
DiGi NUMĂR DE PARTE
TK20E60W,S1VX-DG
PREȚ UNIC
2.29
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
SIHP25N60EFL-GE3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
SIHP25N60EFL-GE3-DG
PREȚ UNIC
2.10
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
TPH3206PD
PRODUCĂTOR
Transphorm
CANTITATE DISPONIBILĂ
68
DiGi NUMĂR DE PARTE
TPH3206PD-DG
PREȚ UNIC
5.39
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRF6635
MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
IPP13N03LB G
MOSFET N-CH 30V 30A TO220-3
IRFB42N20DPBF
MOSFET N-CH 200V 44A TO220AB
IRFP064VPBF
MOSFET N-CH 60V 130A TO247AC