Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
RD Congo
Argentina
Turcia
România
Lituania
Norvegia
Austria
Angola
Slovacia
ltală
Finlanda
Bielorusia
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Muntenegru
Rusă
Belgia
Suedia
Serbia
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
Moldova
Germania
Olanda
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
Franţa
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Portugalia
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spania
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
IPP60R250CPXKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPP60R250CPXKSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 104W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventar:
1750 Piese Noi Originale În Stoc
12803296
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPP60R250CPXKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
CoolMOS™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
250mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 440µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1200 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
104W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IPP60R250
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
IPP60R250CPXKSA1-DG
Fișe tehnice
IPP60R250CPXKSA1
Informații suplimentare
Alte nume
IPP60R250CP
IPP60R250CPIN-DG
IPP60R250CPIN
IPP60R250CPXK
IPP60R250CPAKSA1
SP000358136
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STP13N80K5
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
312
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP13N80K5-DG
PREȚ UNIC
1.60
TIP SUBSTITUT
Direct
NUMĂRUL PARTEI
IPP60R180P7XKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPP60R180P7XKSA1-DG
PREȚ UNIC
1.05
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STP18N60M2
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
470
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP18N60M2-DG
PREȚ UNIC
0.87
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IRF830APBF
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
5605
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF830APBF-DG
PREȚ UNIC
0.59
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IRFBC30APBF
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
1483
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFBC30APBF-DG
PREȚ UNIC
1.19
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPS20N03L G
MOSFET N-CH 30V 30A TO251-3
IPB093N04LGATMA1
MOSFET N-CH 40V 50A D2PAK
IRFU1010ZPBF
MOSFET N-CH 55V 42A IPAK
IRFS7530TRLPBF
MOSFET N CH 60V 195A D2PAK