IPP50R350CPHKSA1
Numărul de produs al producătorului:

IPP50R350CPHKSA1

Product Overview

Producător:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Cod de parte:

IPP50R350CPHKSA1-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 500V 10A TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 500 V 10A (Tc) 89W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1

Inventar:

12804793
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

IPP50R350CPHKSA1 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
CoolMOS™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
500 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
350mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 370µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1020 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
89W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-3-1
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IPP50R

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
SP000236069
Pachet standard
500

Clasificare de Mediu și Export

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modele alternative

NUMĂRUL PARTEI
STP14NM50N
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
892
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP14NM50N-DG
PREȚ UNIC
1.69
TIP SUBSTITUT
Direct
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
infineon-technologies

IRFB4020PBF

MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB

infineon-technologies

IRF1404ZSPBF

MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK

infineon-technologies

IRF6626TRPBF

MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET

infineon-technologies

IRFS3307TRLPBF

MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK