Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
IPP50R299CPXKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPP50R299CPXKSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 550V 12A TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 550 V 12A (Tc) 104W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventar:
RFQ Online
12803681
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPP50R299CPXKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
CoolMOS™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
550 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
299mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 440µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1190 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
104W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-3-1
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IPP50R
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
IPP50R299CPXKSA1-DG
Fișe tehnice
IPP50R299CPXKSA1
Informații suplimentare
Alte nume
SP000680938
IPP50R299CPIN-DG
IPP50R299CPXK
INFINFIPP50R299CPXKSA1
IPP50R299CPIN
IPP50R299CP
2156-IPP50R299CPXKSA1
Pachet standard
500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STP15NK50Z
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
942
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP15NK50Z-DG
PREȚ UNIC
1.20
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STP20NK50Z
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
1738
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP20NK50Z-DG
PREȚ UNIC
2.68
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IRF830APBF
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
5605
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF830APBF-DG
PREȚ UNIC
0.59
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STP14NK50Z
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
964
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP14NK50Z-DG
PREȚ UNIC
1.77
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IXFP20N50P3
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
20
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFP20N50P3-DG
PREȚ UNIC
2.31
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRF7807A
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
IRF8252TRPBF-1
MOSFET N-CH 25V 25A 8SO
IPP220N25NFDAKSA1
MOSFET N-CH 250V 61A TO220-3
IRFI4228PBF
MOSFET N-CH 150V 34A TO220AB FP