Numărul de produs al producătorului:
IPP50R280CEXKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPP50R280CEXKSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 500 V 13A (Tc) 92W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventar:
501 Piese Noi Originale În Stoc
12803277
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPP50R280CEXKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
CoolMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
500 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
13V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
280mOhm @ 4.2A, 13V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 350µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
32.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
773 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
92W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-3-1
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IPP50R280
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IPP50R280CE
SP000850810
-IPP50R280CE
IPP50R280CEIN-DG
IPP50R280CEIN
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPU95R450P7AKMA1
MOSFET N-CH 950V 14A TO251-3
IRFR2407PBF
MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
IRF7809ATR
MOSFET N-CH 30V 14.5A 8SO
