Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
RD Congo
Argentina
Turcia
România
Lituania
Norvegia
Austria
Angola
Slovacia
ltală
Finlanda
Bielorusia
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Muntenegru
Rusă
Belgia
Suedia
Serbia
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
Moldova
Germania
Olanda
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
Franţa
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Portugalia
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spania
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
IPP50R250CPHKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPP50R250CPHKSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 500 V 13A (Tc) 114W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventar:
RFQ Online
12802736
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPP50R250CPHKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
CoolMOS™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
500 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
250mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 520µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1420 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
114W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-3-1
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IPP50R
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
IPP50R250CPHKSA1-DG
Fișe tehnice
IPP50R250CPHKSA1
Informații suplimentare
Alte nume
IPP50R250CP
SP000236071
IPP50R250CP-DG
Pachet standard
500
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STP18N55M5
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
971
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP18N55M5-DG
PREȚ UNIC
1.33
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IPW50R250CPFKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPW50R250CPFKSA1-DG
PREȚ UNIC
2.04
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
NUMĂRUL PARTEI
STP20NK50Z
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
1738
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP20NK50Z-DG
PREȚ UNIC
2.68
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STP18N60M2
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
470
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP18N60M2-DG
PREȚ UNIC
0.87
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IRF830APBF
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
5605
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF830APBF-DG
PREȚ UNIC
0.59
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFB4615PBF
MOSFET N-CH 150V 35A TO220AB
IPB60R520CPATMA1
MOSFET N-CH 600V 6.8A D2PAK
AUIRFSL8407
MOSFET N-CH 40V 195A TO262
IRF7739L2TR1PBF
MOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFET