Numărul de produs al producătorului:
IPP50R140CPXKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPP50R140CPXKSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 550V 23A TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 550 V 23A (Tc) 192W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventar:
485 Piese Noi Originale În Stoc
12802687
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPP50R140CPXKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
CoolMOS™
Starea produsului
Not For New Designs
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
550 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
23A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
140mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 930µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2540 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
192W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-3-1
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IPP50R140
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
INFINFIPP50R140CPXKSA1
2156-IPP50R140CPXKSA1
SP000680932
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPW50R140CPFKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPW50R140CPFKSA1-DG
PREȚ UNIC
3.63
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IMZ120R220M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-4
IRF7807ATRPBF
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
IPB80P04P4L04ATMA1
MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
