Numărul de produs al producătorului:
IPP330P10NMAKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPP330P10NMAKSA1-DG
Descriere:
TRENCH >=100V PG-TO220-3
Descriere detaliată:
P-Channel 100 V 6.9A (Ta), 62A (Tc) 3.8W (Ta), 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventar:
438 Piese Noi Originale În Stoc
12973589
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPP330P10NMAKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
6.9A (Ta), 62A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
33mOhm @ 53A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 5.55mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
236 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
11000 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.8W (Ta), 300W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IPP330P
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP005343871
448-IPP330P10NMAKSA1
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
PJQ4407P_R1_00001
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
MCAC75N02-TP
MOSFET N-CH DFN5060
RV5C040APTCR1
MOSFET P-CH 20V 4A DFN1616-6
