Numărul de produs al producătorului:
IPP147N12N3GXKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPP147N12N3GXKSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 120V 56A TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 120 V 56A (Ta) 107W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventar:
17762 Piese Noi Originale În Stoc
12822377
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPP147N12N3GXKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
120 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
56A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
14.7mOhm @ 56A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 61µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3220 pF @ 60 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
107W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IPP147
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
2156-IPP147N12N3GXKSA1
IPP147N12N3 G
INFINFIPP147N12N3GXKSA1
IPP147N12N3 G-DG
IPP147N12N3G
SP000652742
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFP4568PBF
MOSFET N-CH 150V 171A TO247AC
IRFR3607TRPBF
MOSFET N-CH 75V 56A DPAK
IXFR12N120P
MOSFET N-CH 1200V ISOPLUS247
