Numărul de produs al producătorului:
IPP120N08S403AKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPP120N08S403AKSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 278W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventar:
8142 Piese Noi Originale În Stoc
12805425
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPP120N08S403AKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
80 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2.8mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 223µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
167 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
11550 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
278W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-3-1
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IPP120
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IPP120N08S403AKSA1-DG
SP000989106
2156-IPP120N08S403AKSA1
448-IPP120N08S403AKSA1
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPW90R340C3XKSA1
MOSFET N-CH 900V 15A TO247-3
IPA60R060C7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 16A TO220
IPB120N08S403ATMA1
MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3