Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
RD Congo
Argentina
Turcia
România
Lituania
Norvegia
Austria
Angola
Slovacia
ltală
Finlanda
Bielorusia
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Muntenegru
Rusă
Belgia
Suedia
Serbia
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
Moldova
Germania
Olanda
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
Franţa
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Portugalia
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spania
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
IPP100N06S3L-04
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPP100N06S3L-04-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 55 V 100A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventar:
RFQ Online
12805483
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPP100N06S3L-04 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
55 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3.8mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 150µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
362 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±16V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
17270 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
214W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-3-1
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IPP100N
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
IPP100N06S3L-04-DG
Fișe tehnice
IPP100N06S3L-04
Informații suplimentare
Alte nume
SP000102209
IPP100N06S3L-04-DG
IPP100N06S3L04X
IPP100N06S3L04XK
IPP100N06S3L-04IN
Pachet standard
500
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
FDP030N06
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
900
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDP030N06-DG
PREȚ UNIC
2.04
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STP185N55F3
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
1985
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP185N55F3-DG
PREȚ UNIC
2.64
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IRF3808PBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
767
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF3808PBF-DG
PREȚ UNIC
1.06
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STP190N55LF3
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
1000
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP190N55LF3-DG
PREȚ UNIC
2.42
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPI09N03LA
MOSFET N-CH 25V 50A TO262-3
IRFR18N15DTRR
MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
IRLB8743PBF
MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB
IRFB7446PBF
MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB