Numărul de produs al producătorului:
IPP100N06S3-04
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPP100N06S3-04-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 55 V 100A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventar:
12823353
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPP100N06S3-04 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
55 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
4.4mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
314 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
14230 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
214W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-3-1
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IPP100N
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IPP100N06S304XK
IPP100N06S304X
IPP100N06S3-04IN
SP000102212
IPP100N06S3-04-DG
Pachet standard
500
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IXTP90N055T2
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXTP90N055T2-DG
PREȚ UNIC
1.06
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
R6020JNZC17
MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
IRFS33N15D
MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
IRL1404ZSPBF
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
