Numărul de produs al producătorului:
IPP082N10NF2SAKMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPP082N10NF2SAKMA1-DG
Descriere:
TRENCH >=100V
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 15A (Ta), 77A (Tc) 3.8W (Ta), 100W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventar:
103 Piese Noi Originale În Stoc
12950995
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPP082N10NF2SAKMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
StrongIRFET™ 2
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
15A (Ta), 77A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
8.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 46µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2000 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.8W (Ta), 100W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IPP082N
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
448-IPP082N10NF2SAKMA1
SP005548849
2156-IPP082N10NF2SAKMA1
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPP016N08NF2SAKMA1
TRENCH 40<-<100V
IPP129N10NF2SAKMA1
TRENCH >=100V
IPP019N08NF2SAKMA1
TRENCH 40<-<100V
