Numărul de produs al producătorului:
IPP057N08N3GXKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPP057N08N3GXKSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 80 V 80A (Tc) 150W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventar:
230 Piese Noi Originale În Stoc
12800263
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPP057N08N3GXKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
80 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
5.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 90µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
69 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4750 pF @ 40 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
150W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IPP057
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IPP057N08N3 G-DG
IPP057N08N3G
IPP057N08N3GXKSA1-DG
IPP057N08N3 G
448-IPP057N08N3GXKSA1
SP000680810
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPD60R145CFD7ATMA1
MOSFET N CH
IPD60R450E6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252-3
IPI045N10N3GXK
MOSFET N-CH 100V 137A TO262-3