Numărul de produs al producătorului:
IPP04CN10NGXKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPP04CN10NGXKSA1-DG
Descriere:
MV POWER MOS
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventar:
12803860
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPP04CN10NGXKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
OptiMOS™ 2
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
4.2mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
210 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
13800 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
300W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IPP04CN10
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
448-IPP04CN10NGXKSA1
IPP04CN10NGXKSA1-DG
SP000680796
Pachet standard
500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPP039N10N5XKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPP039N10N5XKSA1-DG
PREȚ UNIC
2.14
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPAW60R190CEXKSA1
MOSFET N-CH 600V 26.7A TO220
IPD035N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
IPA60R400CEXKSA1
MOSFET N-CH 600V 10.3A TO220-FP
