Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
IPP045N10N3GHKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPP045N10N3GHKSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventar:
RFQ Online
12802602
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPP045N10N3GHKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 150µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
117 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
8410 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
214W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IPP045N
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
IPP045N10N3GHKSA1-DG
Fișe tehnice
IPP045N10N3GHKSA1
Informații suplimentare
Alte nume
SP000457560
Pachet standard
500
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STP140N8F7
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
990
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP140N8F7-DG
PREȚ UNIC
1.37
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
SUP70040E-GE3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
460
DiGi NUMĂR DE PARTE
SUP70040E-GE3-DG
PREȚ UNIC
1.28
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
DMTH10H005SCT
PRODUCĂTOR
Diodes Incorporated
CANTITATE DISPONIBILĂ
82
DiGi NUMĂR DE PARTE
DMTH10H005SCT-DG
PREȚ UNIC
1.04
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
AOT284L
PRODUCĂTOR
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
AOT284L-DG
PREȚ UNIC
1.13
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IPP045N10N3GXKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
2534
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPP045N10N3GXKSA1-DG
PREȚ UNIC
1.27
TIP SUBSTITUT
Direct
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPL65R070C7AUMA1
MOSFET N-CH 650V 28A 4VSON
BSS139 E6906
MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
IPP410N30NAKSA1
MOSFET N-CH 300V 44A TO220-3
IPA95R750P7XKSA1
MOSFET N-CH 950V 9A TO220