Numărul de produs al producătorului:
IPP039N04LGHKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPP039N04LGHKSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 40 V 80A (Tc) 94W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventar:
12803303
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPP039N04LGHKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
40 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3.9mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 45µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
6100 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
94W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IPP039N
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP000391494
Pachet standard
500
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPP039N04LGXKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
459
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPP039N04LGXKSA1-DG
PREȚ UNIC
0.50
TIP SUBSTITUT
Direct
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPD50R950CEATMA1
MOSFET N-CH 500V 4.3A TO252-3
IRF1503PBF
MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
IPS80R900P7AKMA1
MOSFET N-CH 800V 6A TO251-3