Numărul de produs al producătorului:
IPP037N06L3GHKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPP037N06L3GHKSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 90A (Tc) 167W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventar:
12801442
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPP037N06L3GHKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
OptiMOS™ 3
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3.7mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 93µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
79 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
13000 pF @ 30 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
167W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-3-1
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IPP037
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP000398072
Pachet standard
500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
FDP030N06B-F102
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
725
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDP030N06B-F102-DG
PREȚ UNIC
0.97
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
PSMN3R0-60PS,127
PRODUCĂTOR
Nexperia USA Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
4251
DiGi NUMĂR DE PARTE
PSMN3R0-60PS,127-DG
PREȚ UNIC
1.62
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPC60R190E6X7SA1
MOSFET N-CH
IPB65R065C7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 7.3A D2PAK
AUIRF2907Z
MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
