Numărul de produs al producătorului:
IPP034NE7N3GXKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPP034NE7N3GXKSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 75 V 100A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventar:
1425 Piese Noi Originale În Stoc
13064207
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
v7a6
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPP034NE7N3GXKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
OptiMOS™
Ambalaj
Tube
Starea piesei
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
75 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 155µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
117 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
8130 pF @ 37.5 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
214W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IPP034
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IPP034NE7N3G
SP000641724
INFINFIPP034NE7N3GXKSA1
IPP034NE7N3 G
IPP034NE7N3 G-ND
2156-IPP034NE7N3GXKSA1
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRF530NSTRRPBF
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
IRLR3303TRPBF
MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
IRFP9140NPBF
MOSFET P-CH 100V 23A TO247AC
