Numărul de produs al producătorului:
IPP019N06NF2SAKMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPP019N06NF2SAKMA1-DG
Descriere:
TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 33A (Ta), 185A (Tc) 3.8W (Ta), 188W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-U05
Inventar:
752 Piese Noi Originale În Stoc
12987846
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPP019N06NF2SAKMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
StrongIRFET™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
33A (Ta), 185A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.3V @ 129µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
162 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
7300 pF @ 30 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.8W (Ta), 188W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-3-U05
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
448-IPP019N06NF2SAKMA1
SP005742471
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
GT700P08T
P-80V, -25A,RD<72M@-10V,VTH-2V~-
TK10P50W,RQ
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
TK110Z65Z,S1F
POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247-4
