Numărul de produs al producătorului:
IPN70R1K0CEATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPN70R1K0CEATMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 700V 7.4A SOT223
Descriere detaliată:
N-Channel 700 V 7.4A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
Inventar:
12804058
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPN70R1K0CEATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
700 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
7.4A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 150µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
14.9 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
328 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
5W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-SOT223
Pachet / Carcasă
TO-261-4, TO-261AA
Numărul de bază al produsului
IPN70R1
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP001646912
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPN70R1K2P7SATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
1316
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPN70R1K2P7SATMA1-DG
PREȚ UNIC
0.18
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFR4105ZTRR
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
IRFI9Z34N
MOSFET P-CH 55V 14A TO220AB FP
IRF3711L
MOSFET N-CH 20V 110A TO262
