Numărul de produs al producătorului:
IPN65R1K5CEATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPN65R1K5CEATMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 5.2A SOT223
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 5.2A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
Inventar:
13064052
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPN65R1K5CEATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
CoolMOS™ CE
Ambalaj
Tape & Reel (TR)
Starea piesei
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
5.2A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 100µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
10.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
225 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
5W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-SOT223
Pachet / Carcasă
TO-261-4, TO-261AA
Numărul de bază al produsului
IPN65R1
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IPN65R1K5CEATMA1DKR
IPN65R1K5CEATMA1TR
IPN65R1K5CEATMA1CT
2156-IPN65R1K5CEATMA1TR
SP001461234
IPN65R1K5CEATMA1-ND
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
3 (168 Hours)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPN70R1K4P7SATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
7808
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPN70R1K4P7SATMA1-DG
PREȚ UNIC
0.17
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFP4410ZPBF
MOSFET N-CH 100V 97A TO247AC
IRFU120Z
MOSFET N-CH 100V 8.7A IPAK
IPI100N06S3L04XK
MOSFET N-CH 55V 100A TO262-3
