Numărul de produs al producătorului:
IPN60R1K5CEATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPN60R1K5CEATMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 5A SOT223
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 5A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-3
Inventar:
12806347
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPN60R1K5CEATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™ CE
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
5A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 90µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
9.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
200 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
5W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-SOT223-3
Pachet / Carcasă
TO-261-4, TO-261AA
Numărul de bază al produsului
IPN60R1
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IPN60R1K5CEATMA1TR
IPN60R1K5CEATMA1DKR
IPN60R1K5CEATMA1CT
SP001434890
IPN60R1K5CEATMA1-DG
2156-IPN60R1K5CEATMA1TR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRLR6225PBF
MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
IRFR2905ZTRR
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
SI4435DYTRPBF
MOSFET P-CH 30V 8A 8SO