Numărul de produs al producătorului:
IPN50R2K0CEATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPN50R2K0CEATMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 500V 3.6A SOT223
Descriere detaliată:
N-Channel 500 V 3.6A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-3
Inventar:
4855 Piese Noi Originale În Stoc
12804638
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPN50R2K0CEATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™ CE
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
500 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
3.6A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
13V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2Ohm @ 600mA, 13V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 50µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
124 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
5W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-SOT223-3
Pachet / Carcasă
TO-261-4, TO-261AA
Numărul de bază al produsului
IPN50R2
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP001461194
IPN50R2K0CEATMA1-DG
IPN50R2K0CEATMA1CT
2156-IPN50R2K0CEATMA1
IPN50R2K0CEATMA1TR
IPN50R2K0CEATMA1DKR
INFINFIPN50R2K0CEATMA1
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPC60R380E6UNSAWNX6SA1
MOSFET N-CH BARE DIE
IRF7828PBF
MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SO
IPD06P005NATMA1
MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3
