Numărul de produs al producătorului:
IPL65R210CFDAUMA2
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPL65R210CFDAUMA2-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 16.6A 4VSON
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 16.6A (Tc) 151W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4
Inventar:
12803666
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPL65R210CFDAUMA2 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™ CFD2
Starea produsului
Last Time Buy
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
16.6A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
210mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 700µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1850 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
151W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-VSON-4
Pachet / Carcasă
4-PowerTSFN
Numărul de bază al produsului
IPL65R210
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IPL65R210CFDAUMA2-DG
448-IPL65R210CFDAUMA2TR
SP002050998
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
2A (4 Weeks)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPL65R200CFD7AUMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPL65R200CFD7AUMA1-DG
PREȚ UNIC
1.26
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPP80N03S4L03AKSA1
MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
IPB80P04P405ATMA1
MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
IPP60R060P7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 48A TO220-3
