Numărul de produs al producătorului:
IPI90R1K0C3XKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPI90R1K0C3XKSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 900V 5.7A TO262-3
Descriere detaliată:
N-Channel 900 V 5.7A (Tc) 89W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventar:
12822730
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPI90R1K0C3XKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
CoolMOS™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
900 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
5.7A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1Ohm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 370µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
850 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
89W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO262-3
Pachet / Carcasă
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numărul de bază al produsului
IPI90R
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IPI90R1K0C3
IPI90R1K0C3-DG
SP000683078
SP000413722
Pachet standard
500
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STP6N95K5
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
418
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP6N95K5-DG
PREȚ UNIC
0.95
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
TN0110N3-G-P002
MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3
IRL2505STRLPBF
MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
IRF3710ZGPBF
MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB
