Numărul de produs al producătorului:
IPI80N06S3-07
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPI80N06S3-07-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Descriere detaliată:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 135W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventar:
12803362
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPI80N06S3-07 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
55 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
6.8mOhm @ 51A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 80µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
7768 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
135W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO262-3
Pachet / Carcasă
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numărul de bază al produsului
IPI80N
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IPI80N06S3-07-DG
IPI80N06S3-07IN
IPI80N06S307X
2156-IPI80N06S3-07-IT
SP000088064
IPI80N06S307XK
IFEINFIPI80N06S3-07
Pachet standard
500
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRF135SA204
MOSFET N-CH 135V 160A D2PAK-7
IPB180N06S4H1ATMA2
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
IPB120N04S4L02ATMA1
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
