Numărul de produs al producătorului:
IPI80N03S4L03AKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPI80N03S4L03AKSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 80A TO262-3
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 80A (Tc) 136W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventar:
12803052
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPI80N03S4L03AKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 90µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
140 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±16V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
9750 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
136W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO262-3
Pachet / Carcasă
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numărul de bază al produsului
IPI80N
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP000273285
IPI80N03S4L-03
IPI80N03S4L-03-DG
Pachet standard
500
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPT210N25NFDATMA1
MV POWER MOS
IRFSL7434PBF
MOSFET N-CH 40V 195A TO262
IRF7463PBF
MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
