Numărul de produs al producătorului:
IPI65R420CFDXKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPI65R420CFDXKSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO262-3
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 8.7A (Tc) 83.3W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventar:
12805124
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPI65R420CFDXKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
CoolMOS™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
8.7A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
420mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 340µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
870 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
83.3W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO262-3
Pachet / Carcasă
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numărul de bază al produsului
IPI65R
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IPI65R420CFD
IPI65R420CFD-DG
SP000891702
Pachet standard
500
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPI60R125CPXKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
490
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPI60R125CPXKSA1-DG
PREȚ UNIC
3.00
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPS04N03LA G
MOSFET N-CH 25V 50A TO251-3
IPP65R420CFDXKSA1
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220-3
IPW65R190CFDFKSA1
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247-3
