Numărul de produs al producătorului:
IPI320N20N3GAKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPI320N20N3GAKSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 200V 34A TO262-3
Descriere detaliată:
N-Channel 200 V 34A (Tc) 136W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventar:
12801064
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPI320N20N3GAKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
34A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
32mOhm @ 34A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 90µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2350 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
136W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO262-3
Pachet / Carcasă
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numărul de bază al produsului
IPI320
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IPI320N20N3 G-DG
IPI320N20N3 G
SP000714312
2156-IPI320N20N3GAKSA1
IPI320N20N3G
INFINFIPI320N20N3GAKSA1
Pachet standard
500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPP040N06N3GHKSA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
IPB096N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 35A D2PAK
IPD50R380CEBTMA1
MOSFET N-CH 500V 14.1A TO252-3