Numărul de produs al producătorului:
IPI024N06N3GXKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPI024N06N3GXKSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 250W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Inventar:
12801611
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPI024N06N3GXKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 196µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
275 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
23000 pF @ 30 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
250W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO262-3-1
Pachet / Carcasă
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numărul de bază al produsului
IPI024
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IPI024N06N3GXKSA1-DG
SP000680644
448-IPI024N06N3GXKSA1
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPP030N10N5AKSA1
MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
BSR316PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 100V 360MA SC59
64-2096PBF
MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK
