Numărul de produs al producătorului:
IPG20N06S4L26ATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPG20N06S4L26ATMA1-DG
Descriere:
MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Descriere detaliată:
Mosfet Array 60V 20A 33W Surface Mount PG-TDSON-8-4
Inventar:
17787 Piese Noi Originale În Stoc
12804693
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPG20N06S4L26ATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Active
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 N-Channel (Dual)
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
20A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
26mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 10µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1430pF @ 25V
Putere - Max
33W
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
8-PowerVDFN
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TDSON-8-4
Numărul de bază al produsului
IPG20N
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP000705588
IPG20N06S4L26ATMA1CT
IPG20N06S4L26ATMA1DKR
IPG20N06S4L26ATMA1TR
Pachet standard
5,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRF7379TR
MOSFET N/P-CH 30V 5.8A/4.3A 8SO
IRF9389PBF
MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8SO
IRF7379TRPBF
MOSFET N/P-CH 30V 5.8A/4.3A 8SO