Numărul de produs al producătorului:
IPG20N06S2L65AATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPG20N06S2L65AATMA1-DG
Descriere:
MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Descriere detaliată:
Mosfet Array 55V 20A 43W Surface Mount, Wettable Flank PG-TDSON-8-10
Inventar:
13998 Piese Noi Originale În Stoc
12800924
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPG20N06S2L65AATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Active
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 N-Channel (Dual)
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
55V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
20A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 14µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
410pF @ 25V
Putere - Max
43W
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Surface Mount, Wettable Flank
Pachet / Carcasă
8-PowerVDFN
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TDSON-8-10
Numărul de bază al produsului
IPG20N
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IPG20N06S2L65AATMA1DKR
SP001023844
IFEINFIPG20N06S2L65AATMA1
IPG20N06S2L65AATMA1CT
IPG20N06S2L65AATMA1-DG
IPG20N06S2L65AATMA1TR
2156-IPG20N06S2L65AATMA1
Pachet standard
5,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FF23MR12W1M1B11BOMA1
SIC 2N-CH 1200V 50A MODULE
IPG20N06S415ATMA1
MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
IPG20N06S2L65ATMA1
MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON