Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
RD Congo
Argentina
Turcia
România
Lituania
Norvegia
Austria
Angola
Slovacia
ltală
Finlanda
Bielorusia
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Muntenegru
Rusă
Belgia
Suedia
Serbia
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
Moldova
Germania
Olanda
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
Franţa
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Portugalia
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spania
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
IPG20N04S408AATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPG20N04S408AATMA1-DG
Descriere:
MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Descriere detaliată:
Mosfet Array 40V 20A 65W Surface Mount, Wettable Flank PG-TDSON-8-10
Inventar:
4071 Piese Noi Originale În Stoc
12804177
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPG20N04S408AATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Cut Tape (CT)
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Obsolete
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 N-Channel (Dual)
Caracteristică FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
40V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
20A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
7.6mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 30µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2940pF @ 25V
Putere - Max
65W
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Surface Mount, Wettable Flank
Pachet / Carcasă
8-PowerVDFN
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TDSON-8-10
Numărul de bază al produsului
IPG20N
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
IPG20N04S408AATMA1-DG
Fișe tehnice
IPG20N04S408AATMA1
Informații suplimentare
Alte nume
IPG20N04S408AATMA1DKR
2156-IPG20N04S408AATMA1TR
SP000938100
IPG20N04S408AATMA1TR
IPG20N04S408AATMA1-DG
IPG20N04S408AATMA1CT
Pachet standard
5,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPG20N04S408BATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
5000
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPG20N04S408BATMA1-DG
PREȚ UNIC
0.64
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRF7507TR
MOSFET N/P-CH 20V MICRO8
IRF3575DTRPBF
MOSFET 2N-CH 25V 303A 32QFN
IRF7501TRPBF
MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8
IRF7311TRPBF
MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8SO