IPDD60R170CFD7XTMA1
Numărul de produs al producătorului:

IPDD60R170CFD7XTMA1

Product Overview

Producător:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Cod de parte:

IPDD60R170CFD7XTMA1-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 600V 19A HDSOP-10
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 19A (Tc) 137W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-10-1

Inventar:

47 Piese Noi Originale În Stoc
12948595
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

IPDD60R170CFD7XTMA1 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™ CFD7
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
170mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 240µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1016 pF @ 400 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
137W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-HDSOP-10-1
Pachet / Carcasă
10-PowerSOP Module
Numărul de bază al produsului
IPDD60

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
SP005060550
448-IPDD60R170CFD7XTMA1TR
448-IPDD60R170CFD7XTMA1CT
2156-IPDD60R170CFD7XTMA1
448-IPDD60R170CFD7XTMA1DKR
Pachet standard
1,700

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
infineon-technologies

IPDD60R055CFD7XTMA1

MOSFET N-CH 600V 52A HDSOP-10

stmicroelectronics

STP9NK60ZFP

MOSFET N-CH 600V 7A TO220FP

vishay-siliconix

IRFD113PBF

MOSFET N-CH 60V 800MA 4DIP

stmicroelectronics

STF10N65K3

MOSFET N-CH 650V 10A TO220FP