Numărul de produs al producătorului:
IPDD60R150G7XTMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPDD60R150G7XTMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 16A HDSOP-10
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 16A (Tc) 95W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-10-1
Inventar:
41 Piese Noi Originale În Stoc
12804700
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPDD60R150G7XTMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™ G7
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
150mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 260µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
902 pF @ 400 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
95W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-HDSOP-10-1
Pachet / Carcasă
10-PowerSOP Module
Numărul de bază al produsului
IPDD60
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
2156-IPDD60R150G7XTMA1
IPDD60R150G7XTMA1TR
IPDD60R150G7XTMA1CT
IFEINFIPDD60R150G7XTMA1
IPDD60R150G7XTMA1DKR
SP001632838
Pachet standard
1,700
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPP65R310CFDXKSA1
MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220-3
IPA65R190CFDXKSA2
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220
IRF2807ZLPBF
MOSFET N-CH 75V 75A TO262