IPD950P06NMSAUMA1
Numărul de produs al producătorului:

IPD950P06NMSAUMA1

Product Overview

Producător:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Cod de parte:

IPD950P06NMSAUMA1-DG

Descriere:

MOSFET P-CH 60V TO252-3
Descriere detaliată:
P-Channel 60 V Surface Mount PG-TO252-3-313

Inventar:

12805162
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

IPD950P06NMSAUMA1 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
-
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Vgs (Max)
-
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
-
Temperatura
-
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO252-3-313
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
IPD950

Informații suplimentare

Alte nume
SP004987232
Pachet standard
2,500

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
infineon-technologies

IPW60R070C6FKSA1

MOSFET N-CH 600V 53A TO247-3

infineon-technologies

IPD25CNE8N G

MOSFET N-CH 85V 35A TO252-3

infineon-technologies

IRF6626

MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET

infineon-technologies

IRFR9024NTRRPBF

MOSFET P-CH 55V 11A DPAK