Numărul de produs al producătorului:
IPD90P04P4L04ATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPD90P04P4L04ATMA1-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
Descriere detaliată:
P-Channel 40 V 90A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Inventar:
12803794
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPD90P04P4L04ATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Not For New Designs
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
40 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
4.3mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
176 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±16V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
11570 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
125W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO252-3-313
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
IPD90
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IPD90P04P4L04ATMA1DKR
IPD90P04P4L04ATMA1TR
IPD90P04P4L04ATMA1CT
SP000840194
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPD90P04P4L04ATMA2
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
13599
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPD90P04P4L04ATMA2-DG
PREȚ UNIC
1.05
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPB80N06S2L06ATMA2
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
IRF6636
MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
IPD60R600E6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
