Numărul de produs al producătorului:
IPD80R360P7ATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPD80R360P7ATMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 800V 13A TO252-3
Descriere detaliată:
N-Channel 800 V 13A (Tc) 84W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventar:
12851854
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPD80R360P7ATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™ P7
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
800 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
360mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 280µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
930 pF @ 500 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
84W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO252-3
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
IPD80R
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IPD80R360P7ATMA1CT
SP001633516
IPD80R360P7ATMA1TR
IPD80R360P7ATMA1DKR
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STD13N60M2
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
8724
DiGi NUMĂR DE PARTE
STD13N60M2-DG
PREȚ UNIC
0.81
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
BSC022N04LSATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6
FDS8896
MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
FDT439N
MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT223-4
