Numărul de produs al producătorului:
IPD80R2K7C3AATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPD80R2K7C3AATMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH TO252-3
Descriere detaliată:
N-Channel 800 V 2A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
Inventar:
4180 Piese Noi Originale În Stoc
12803727
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPD80R2K7C3AATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
800 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2.7Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
1.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
290 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
42W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252AA (DPAK)
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
IPD80R2
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
INFINFIPD80R2K7C3AATMA1
2156-IPD80R2K7C3AATMA1
SP001065818
448-IPD80R2K7C3AATMA1TR
IPD80R2K7C3AATMA1-DG
448-IPD80R2K7C3AATMA1DKR
448-IPD80R2K7C3AATMA1CT
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPA65R380E6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220-FP
IRF1324PBF
MOSFET N-CH 24V 195A TO220AB
IPZ40N04S5L7R4ATMA1
MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
