Numărul de produs al producătorului:
IPD80N06S3-09
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPD80N06S3-09-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 55V 80A TO252-3
Descriere detaliată:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventar:
12803531
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
UJGb
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPD80N06S3-09 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
55 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
8.4mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 55µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
88 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
6100 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
107W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO252-3-11
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
IPD80N
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
2156-IPD80N06S3-09-ITTR
SP000264473
INFINFIPD80N06S3-09
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STD65N55F3
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
2240
DiGi NUMĂR DE PARTE
STD65N55F3-DG
PREȚ UNIC
0.93
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPL65R195C7AUMA1
MOSFET N-CH 650V 12A 4VSON
IRFR3707
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
IPD80R2K8CEATMA1
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
