Numărul de produs al producătorului:
IPD650P06NMSAUMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPD650P06NMSAUMA1-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 60V 22A TO252-3
Descriere detaliată:
P-Channel 60 V 22A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Inventar:
12800453
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPD650P06NMSAUMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1.04mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1600 pF @ 30 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
83W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO252-3-313
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
IPD650
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP004987224
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPD650P06NMATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
13516
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPD650P06NMATMA1-DG
PREȚ UNIC
0.63
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPB06N03LB
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
IPC60R280E6X1SA1
MOSFET N-CH BARE DIE
IPB09N03LAT
MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3