Numărul de produs al producătorului:
IPD60R800CEAUMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPD60R800CEAUMA1-DG
Descriere:
CONSUMER
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 8.4A (Tc) 74W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-344
Inventar:
2503 Piese Noi Originale În Stoc
12804614
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPD60R800CEAUMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™ CE
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
8.4A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
800mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 170µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
17.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
373 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
74W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO252-3-344
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
IPD60R
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
448-IPD60R800CEAUMA1CT
2156-IPD60R800CEAUMA1
ROCINFIPD60R800CEAUMA1
IPD60R800CEAUMA1-DG
SP001396890
448-IPD60R800CEAUMA1DKR
448-IPD60R800CEAUMA1TR
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
3 (168 Hours)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPP70N04S406AKSA1
MOSFET N-CH 40V 70A TO220-3-1
IRF7524D1TRPBF
MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8
IPD042P03L3GATMA1
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
