Numărul de produs al producătorului:
IPD60R600P7SE8228AUMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPD60R600P7SE8228AUMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 6A (Tc) 30W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventar:
2486 Piese Noi Originale În Stoc
12851276
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPD60R600P7SE8228AUMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™ P7
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 80µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
9 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
363 pF @ 400 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
30W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO252-3
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
IPD60R
Informații suplimentare
Alte nume
SP002367810
448-IPD60R600P7SE8228AUMA1DKR
448-IPD60R600P7SE8228AUMA1CT
IPD60R600P7SE8228AUMA1-DG
448-IPD60R600P7SE8228AUMA1TR
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPD60R600P7SAUMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
9704
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPD60R600P7SAUMA1-DG
PREȚ UNIC
0.25
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FDC654P
MOSFET P-CH 30V 3.6A SUPERSOT6
R6511ENJTL
MOSFET N-CH 650V 11A LPTS
IAUS300N08S5N012ATMA1
MOSFET N-CH 80V 300A HSOG-8
