Numărul de produs al producătorului:
IPD60R1K5PFD7SAUMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPD60R1K5PFD7SAUMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 3.6A TO252
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 3.6A (Tc) 22W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-344
Inventar:
2480 Piese Noi Originale În Stoc
12810869
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPD60R1K5PFD7SAUMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™ PFD7
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
3.6A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 700mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 40µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
4.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
169 pF @ 400 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
22W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO252-3-344
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
IPD60R
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP004748872
448-IPD60R1K5PFD7SAUMA1TR
448-IPD60R1K5PFD7SAUMA1CT
2156-IPD60R1K5PFD7SAUMA1
448-IPD60R1K5PFD7SAUMA1DKR
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
3 (168 Hours)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPD60R360PFD7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 10A TO252-3
IPS60R360PFD7SAKMA1
MOSFET N-CH 650V 10A TO251-3
IMZA65R027M1HXKSA1
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH