Numărul de produs al producătorului:
IPD60R180P7ATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPD60R180P7ATMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 18A (Tc) 72W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventar:
5297 Piese Noi Originale În Stoc
12803900
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPD60R180P7ATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™ P7
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 280µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1081 pF @ 400 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
72W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO252-3
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
IPD60R
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IPD60R180P7ATMA1DKR
IPD60R180P7ATMA1TR
IPD60R180P7ATMA1CT
SP001606052
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPA65R065C7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 15A TO220-FP
IRF3808STRRPBF
MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
IRF7807
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
