IPD50R2K0CEBTMA1
Numărul de produs al producătorului:

IPD50R2K0CEBTMA1

Product Overview

Producător:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Cod de parte:

IPD50R2K0CEBTMA1-DG

Descriere:

CONSUMER
Descriere detaliată:
N-Channel 500 V 3.6A (Tc) 33W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

Inventar:

12800310
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

IPD50R2K0CEBTMA1 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
CoolMOS™ CE
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
500 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
3.6A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
13V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2Ohm @ 600mA, 13V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 50µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
124 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
33W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO252-3
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
IPD50R

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
SP001023988
Pachet standard
2,500

Clasificare de Mediu și Export

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
3 (168 Hours)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modele alternative

NUMĂRUL PARTEI
IPD50R2K0CEAUMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
3163
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPD50R2K0CEAUMA1-DG
PREȚ UNIC
0.15
TIP SUBSTITUT
Direct
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
infineon-technologies

IPD60R180P7SAUMA1

MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3

infineon-technologies

IPB80R290C3AATMA1

MOSFET P-CH TO263-3

infineon-technologies

IPD135N08N3GATMA1

MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3

infineon-technologies

IPB024N10N5ATMA1

MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7