Numărul de produs al producătorului:
IPD50R1K4CEAUMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPD50R1K4CEAUMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO252-3
Descriere detaliată:
N-Channel 500 V 3.1A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventar:
4935 Piese Noi Originale În Stoc
12800893
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPD50R1K4CEAUMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™ CE
Starea produsului
Last Time Buy
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
500 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
3.1A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
13V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 900mA, 13V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 70µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
8.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
178 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
42W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO252-3
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
IPD50R1
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
448-IPD50R1K4CEAUMA1DKR
ROCINFIPD50R1K4CEAUMA1
IPD50R1K4CEAUMA1-DG
448-IPD50R1K4CEAUMA1TR
448-IPD50R1K4CEAUMA1CT
2156-IPD50R1K4CEAUMA1
SP001396808
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
3 (168 Hours)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPB120N06S403ATMA2
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
BSO119N03S
MOSFET N-CH 30V 9A 8DSO
IPD50N06S2L13ATMA1
MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3
