Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
IPD50N10S3L16ATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPD50N10S3L16ATMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 50A TO252-3
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 50A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventar:
2276 Piese Noi Originale În Stoc
12801561
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
S
N
d
9
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPD50N10S3L16ATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
15mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 60µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4180 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
100W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO252-3-11
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
IPD50
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
IPD50N10S3L16ATMA1-DG
Fișe tehnice
IPD50N10S3L16ATMA1
Informații suplimentare
Alte nume
IPD50N10S3L16ATMA1CT
IPD50N10S3L-16DKR
IPD50N10S3L-16CT-DG
IPD50N10S3L-16TR-DG
IPD50N10S3L-16
IPD50N10S3L-16TR
IPD50N10S3L16ATMA1DKR
IPD50N10S3L16ATMA1TR
IPD50N10S3L-16DKR-DG
IPD50N10S3L16
SP000386185
IPD50N10S3L-16-DG
IPD50N10S3L-16CT
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
DMT10H015LK3-13
PRODUCĂTOR
Diodes Incorporated
CANTITATE DISPONIBILĂ
13598
DiGi NUMĂR DE PARTE
DMT10H015LK3-13-DG
PREȚ UNIC
0.40
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
TK55S10N1,LQ
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
3549
DiGi NUMĂR DE PARTE
TK55S10N1,LQ-DG
PREȚ UNIC
1.14
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
SQD70140EL_GE3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
7504
DiGi NUMĂR DE PARTE
SQD70140EL_GE3-DG
PREȚ UNIC
0.41
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IAUT150N10S5N035ATMA1
MOSFET N-CH 100V 150A 8HSOF
IPD70R1K4CEAUMA1
MOSFET N-CH 700V 5.4A TO252-3
IPD70N12S311ATMA1
MOSFET N-CH 120V 70A TO252-31
IPI120N10S405AKSA1
MOSFET N-CH 100V 120A TO262-3