Numărul de produs al producătorului:
IPD50N03S4L06ATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPD50N03S4L06ATMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 50A (Tc) 56W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventar:
7500 Piese Noi Originale În Stoc
12801544
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPD50N03S4L06ATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
5.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 20µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±16V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2330 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
56W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO252-3-11
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
IPD50
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP000415580
IPD50N03S4L06ATMA1-DG
INFINFIPD50N03S4L06ATMA1
IPD50N03S4L06ATMA1CT
IPD50N03S4L06ATMA1TR
IPD50N03S4L06ATMA1DKR
2156-IPD50N03S4L06ATMA1
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPP023N04NGHKSA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3
IPP086N10N3GHKSA1
MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
IPD90N04S405ATMA1
MOSFET N-CH 40V 86A TO252-3
